多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014
5.3 氯硅烷提纯
5.3.1 提纯流程和塔内件应根据物料原料组分、提纯难易程度以及产品要求比较分析后确定。
5.3.2 氯硅烷提纯宜选用差压耦合提纯技术。
5.3.3 氯硅烷提纯工序的布置应符合下列规定:
1 大直径塔宜独立、露天布置,用法兰连接的多节组合塔以及直径不大于600mm的塔宜布置于框架结构内;
2 塔的布置宜采用单排形式,并应按提纯流程顺序以塔的外壁或中心线对齐,还应设置联合平台,各塔平台的连接走道结构应能满足各塔伸缩量及基础沉降的不同要求;
3 附属设备宜靠近塔布置,并应留有安装、生产、维修空间;
4 差压耦合塔的差压耦合再沸器、冷凝器和回流罐的标高宜逐渐降低。
5.3.4 氯硅烷提纯工序宜选择运行稳定、故障率低、密封好的泵,应设置备用机。
5.3.5 精馏控制方式应根据产品采出位置、进料方式、塔内温度和压力变化确定。可采用精馏段指标控制、提馏段指标控制或压力控制。
条文说明
5.3.2 氯硅烷物料中三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅性质接近,特别适合差压耦合工艺,而且与其他常规精馏工艺相比,差压耦合工艺能有效降低能耗40%~80%。因此为了降低单位产品能源消耗,热量双效梯级使用,宜优先考虑采用差压耦合工艺。
5.3.3 本条第4款的规定是为了防止耦合氯硅烷蒸气得不到完全冷凝,影响生产的正常运行。
目录
返回
上节
下节
条文说明
- 上一节:5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
- 下一节:5.4 三氯氢硅氢还原