多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014
7.2 制氮站
7.2.1 制氮站可与压缩空气站设置在同一建筑物内,也可靠近压缩空气站;制氮用的压缩空气与作为仪表气源的压缩空气可由同个机组产出,也可分机组独立产出。
7.2.2 氮气质量应符合下列规定:
1 压力应大于或等于0.7MPa;
2 氮气纯度应大于或等于99.999%;
3 露点应小于或等于—65℃。
7.2.3 制氮站供气量应包含工艺生产系统置换用气、保护用气及管网损耗的总用量,并应大于生产事故的最大用量。
7.2.4 制氮站的液氮储存量应根据制氮机组事故状况下恢复正常产气的时间确定,应保证主生产系统的安全用量。
7.2.5 制氮系统应具有自动调节气量功能,并应根据用气需求降低或提高产气负荷。
条文说明
7.2.4 氮气一般用作多晶硅工厂的保护和置换用气;工厂投运后,对氮气的需求就不能间断,而氮气机组一旦出现事故停车后再次启动或备用机组启动都需要大约2h~20h,这期间需要汽化液氮补充氮气,因此液氮储量需要保证这期间的系统用气量。
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