16.0.2  因通电时间短，其他用电设备尚未投入运行，此时电源的负荷率很低，完全可满足这些短时用电的负荷，所以不必再计算这类负荷的用电及无功动率补偿。

16.0.3  三氯氢硅合成炉的工频感应线圈有三种计算方法，即变压器法、贝塞函数法和实验曲线法。本规范推荐采用实验曲线法，该法是在某种特定条件下，用实际的感应加热器做实验得出的曲线，并以此作为计算的基础。该法计算简洁，误差允许，便于应用。

16.0.4  过去这类电控设计，电力和仪表专业由于配合不当，常常出现各搞一套的不协调局面，为改变这种状况，使电控系统的设计更加合理，更有利于监控和管理，避免不协调现象继续发生，特制定此条。

    在控制室内设有正压通风，是为防止SiHCI3（或SiCl4）气体对电控设备的腐蚀，但吸风口应设在户外或经简易过滤装置，保证控制室内空气纯净。

16.0.5  多晶硅的电气室是一个专用的电气室，为了方便维护管理，减少占地面积，并经多年实践证明，高、低压设备同室布置完全可行，本规范加以推荐。如电气设备为油浸式冷却方式，按防火要求，两设备之间应设防火隔墙并设排油设施。

16.0.6  为减少电能损耗，便于维护管理，多晶硅氢还原炉电气室通常与多晶硅氢还原炉室上下毗邻。为了防止三氯氢硅气体和氢气渗入电气室，所以在两室之间严禁开设门窗及其他孔洞，电源线的穿越处应做严密封堵。为安全起见，与电气室无关的管道，不应通过电气室，否则应采取隔离设施。

16.0.7  当还原炉高压启动和还原生产时，还原炉内常有异常现象发生，需常去电气室观察电气设备运行情况，因此在还原炉控制室和电气室之间设一个便于联系的通道十分必要。

16.0.9  变压器中性线过热是各半导体材料厂一致反映的问题，采取了加大中性线截面的措施，效果较好。D，yn11型变压器比Y，yn0型变压器对于限制三次谐波，降低零序阻抗，提高单相短路电流和保护装置的灵敏度，具有明显的优越性。

16.0.10  在单晶炉和区熔炉附近设开关箱，有利于单晶炉、区熔炉的断电检修和调试，确保安全。

16.0.11  单晶炉、区熔炉及物测室的测试仪器对电压稳定度要求较高，电压波动直接影响单晶体的形成和测试精度，因此对这些设备最好由单独的变压器供电。

16.0.12  装设电源滤波装置是为了抑制区熔炉高频装置2MC～4MC高频电源沿供电线路进行传导干扰。滤波器的安装位置主要考虑线路简洁，就地抑制，所以一般是安装在屏蔽室外墙的电源进线处。滤波器的接地可借助屏蔽室的高频接地，用镀锌铜板制作接地装置是根据北京劳防所提供的实践资料并征求上海电科所的意见确定的，生产厂反映效果良好。高频接地的接地线长度应避开λ/4及λ/4的奇数倍，是为了减少接地线可能出现的干扰，当接地线长度为高频设备工作波长的1/4或1/4工作波长的奇数倍时，其阻抗为无穷大，此时它相当于一根天线，可接收或辐射干扰信号，故应避开采用这个长度，设计中接地线做得越短越好。

16.0.13  本条规定是为了防止电源滤波器未加屏蔽的配电线路，经高频耦合越过滤波器对电源进行干扰。

16.0.14  区熔炉的槽路接地是高频装置要求的。每台设备单独设接地装置是为了防止相互干扰。

16.0.15  本条规定是为了使设备冷却水断水能及时发现并加以保护，防止断水运行烧坏设备。

16.0.16  物测室装设电源滤波器是为了由电源线传入高频干扰信号，做成一点接地的目的是防止不同的大地电位经屏蔽网进行干扰。

16.0.17  防止经电力、照明线路及荧光灯的镇流器向室内进行干扰。

16.0.18  这样做是为了减少泄漏以提高屏蔽室的屏蔽效能。