5.1 半导体材料
5.1.1 半导体材料 samiconductor materials
电阻率介于导体与绝缘体之间，范围在1×10-5Ω·cm～1×107Ω·cm的一种固体物质。
5.1.2 晶体材料 crystal materials
在三维空间中，由沿一定晶向、以一定周期性结构排列的原子、离子或分子组成的固体物质。
5.1.3 单晶材料 single crystal materials
不含大角晶界或亦孪晶界的晶体材料。
5.1.4 多晶半导体材料 polycrystal semiconductor materials
由大量结晶方向不相同的单晶体组成的半导体材料。
5.1.5 多晶硅 polysilicon
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒再结晶形成的物质，是单质硅的一种形态。
5.1.6 非晶态材料 amorphous materials
具有可与晶态物质相比较的高硬度和高黏滞系数的刚性固体。又称无定形或玻璃态材料。
5.1.7 非晶硅 amorphous silicon
熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规则网络形态排列成晶核，这些晶核长成晶粒，晶粒再结晶成的物质。
5.1.8 硅基材料 silicon-based materials
以硅材料为衬底或基底，通过不同工艺过程生长制成的材料。
5.1.9 绝缘层硅 silicon-on-insulator(SOI)
在单晶硅片上形成绝缘薄层的硅单晶衬底材料。
半导体工业的基础材料，按其结构可分为单晶体、多晶体和非晶体等；按其用途可分为微电子材料、光电子材料等；按其材料构成可分为元素半导体、化合物半导体、无定形半导体、有机增导体材料等。
5.1.5 多晶硅
由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体，可作拉制单晶硅的原料。从结构上分为大角度晶粒间界、孪晶间界或两种结构兼有的硅多晶三类。多晶硅一般呈深银灰色，不透明，具有金属光泽，性脆，常温下不活泼，分为电子级和太阳能级。
5.1.7 非晶硅
可制成非晶硅场效应晶体管，可作为非线性器件用于液晶显示器件、集成式a-si倒相器、集成式图像传感器以及双稳态多谐振荡器等器件中。
5.1.9 绝缘层硅
具有功耗低、开启电压低、高速、集成度提高、耐高温、抗辐照、与现有集成电路完全兼容等突出优点。
