9.1 供配电

9.1.1 硅集成电路芯片工厂应根据当地电网结构以及工厂负荷容量确定合理的供电电压。
9.1.2 硅集成电路芯片工厂用电负荷等级应为一级，其供电品质应满足芯片生产工艺及设备的要求，并应符合现行国家标准《供配电系统设计规范》GB 50052、《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》GB 50058及《电子工业洁净厂房设计规范》GB 50472的规定。
9.1.3 硅集成电路芯片厂房配电电压等级应符合生产工艺设备及动力设备的要求。
9.1.4 硅集成电路芯片厂房的供电系统应将生产工艺设备与动力设备的供电分设，生产工艺设备宜采用独立的变压器供电并采取抑制浪涌的措施。带电导体系统的形式宜采用单相二线制、三相三线制、三相四线制，系统接地型式宜采用TN-S或TN-C-S系统。
9.1.5 对于有特殊要求的工艺设备，应设不间断电源(UPS)或备用发电装置。