9.4 防静电

9.4.1 硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区。 
9.4.2 防静电工作区的地面和墙面、柱面应采用导静电型材料。导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对地电阻应为2.5×10⁴Ω～1×10⁶Ω，摩擦起电电压不应大于100V，静电半衰期不应大于0.1s。 
9.4.3 防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根据生产工艺的需要设置静电消除器、防静电安全工作台。 
9.4.4 防静电环境的门窗选择应符合下列要求： 
    1 应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面； 
    2 金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地； 
    3 室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时，其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层。 
9.4.5 防静电环境的净化空调系统送风口和风管，应选用导电材料制作，并应接地。 
9.4.6 防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材质时，应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地。当使用导电性橡胶软管时，应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并应用接地引线与其可靠接地。 
9.4.7 生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗、吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接；导静电地面、防静电活动地板、工作台面、座椅等应做防静电接地。 
9.4.8 生产厂房防静电接地设计及其他要求，应按现行国家标准《电子工程防静电设计规范》GB 50611的有关规定执行。