4.1 微电子与集成电路

4.1.1 微电子技术 micro-electronics technology
    微小型电子元器件、元件和电路的研制、生产技术，以及实现预定电子系统功能的技术。
4.1.2 集成电路 integrated circuits(IC)
    通过一系列的特定半导体工艺或薄膜、厚膜加工工艺，将晶体管、二极管、电阻、电容等多个电子元件集成在一个衬底上，构成完整的、具有一定功能的电路或系统。
4.1.3 MOS集成电路 metal-oxide-semiconductor integrated circuits(MOSIC)
    以金属-氧化物-半导体场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。
4.1.4 CMOS集成电路 complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits(CMOSIC)
    以P型沟道的NMOS晶体管和以N型沟道的PMOS晶体管互补构成的集成电路。
4.1.5 BiCMOS集成电路 bipolar complementary metal oxide semiconductor integrated circuits
    由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体门电路共同构成的集成电路。
4.1.6 半导体整流器 semiconductor rectifier
    由一个或者多个半导体PN结组成，用于将交流电流变成直流电流的装置。
4.1.7 晶体管 transistor
    对信号有放大和开关等作用、有三个或四个电极的半导体器件。
4.1.8 可控硅整流管 silicon controlled rectifier(SCR)
    由三个PN结的PNPN四层结构硅芯片及三个电极组成的半导体整流或开关器件。
4.1.9 半导体光电子器件 semiconductor photoelectronic device
    利用半导体的光电效应将光能转换成电能的器件。
4.1.10 砷化镓光耦合器件 GaAs light coupled device
    以砷化镓做成的光耦合器件。
4.1.11 光电晶体管 phototransistor
    把光电二极管和放大器集成在一个硅片上的光电器件。
4.1.12 红外探测器 infrared detector
    将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。
4.1.13 光电池 photocell
    在光的照射下产生电动势的器件。又称光生伏打电池。
4.1.14 发光二极管 light emitting diode(LED)
    由一个PN结组成，具有单向导电性，可把电能转化成光能的一种半导体二极管。
4.1.15 线宽 critical dimension
    所加工的集成电路图形中的最小物理尺寸，是表述集成电路工艺的关键尺寸。又称最小特征尺寸。
4.1.16 硅片 wafer
    用半导体材料制成的单晶硅圆片。