7.7 工艺技术与工艺设计

Ⅰ整机生产工艺

7.7.1 元器件老化筛选 selection of components by aging method
    给电子元器件施加热的、电的、机械的或多种结合的外部应力，模拟恶劣的工作环境，使其内部的潜在缺陷加速暴露出来，然后进行电气参数测量，筛选剔除那些失效或变性元器件的过程。
7.7.2 装联准备 electronics assembling preparation
    装配前先将用于组装电子产品的各种元器件、零件和各种导线进行预先加工处理的工作。也称生产准备。
7.7.3 印制电路板装联 PCB assembling
    在制作有金属电路图形的印制电路板上装配和装焊电子元器件的工艺。
7.7.4 裸芯片组装 bare chip assembly
    从已完工的晶圆上切下芯片后，不按传统的集成电路封装成体方式，而将芯片直接组装在电路板上的工艺。
7.7.5 表面组装技术 surface mounted technology(SMT)
    无需对印制板钻插装孔，直接将表面组装元器件或部件贴焊在印制板表面规定位置上的电路装联技术，又称表面安装技术。
7.7.6 免清洗技术 no-clean for PCB assemblies
    印制板在装焊过程中采用免清洗助焊剂、免清洗焊膏和免清洗焊接设备，装配后的印制板组件不需进行清洗即能达到或超过原来采用清洗工艺的清洁度水平的焊接技术。
7.7.7 印制板组件检测 test for PCB
    为将印制板组件的贴(插)装、焊接故障降到最小限度，使组件达到特定标准要求的质量和可靠性等级所进行的检测。
7.7.8 整机装配 complete machine assembling
    对整机进行机械装配、电气连接和装配后质量检验的过程。
7.7.9 整机老化试验 cormlete machine aging test
    针对整机产品仿真出高温等恶劣环境，对其进行稳定性、可靠性老化试验的过程。
7.7.10 整机调试 complete machine debugging
    按相应的技术标准或指标要求，将整机产品各项指标调试到允许范围内的过程。
7.7.11 整机生产环境 complete machine manufacture environment
    整机生产活动所必需具备的空间和物质条件。
7.7.12 环境试验 environment test
    将产品暴露在自然或人工环境条件下经受其作用，评价产品在实际使用、运输和贮存环境条件下的性能，并分析研究环境因素的影响程度及其作用机理的试验。
7.7.13 力学环境试验 dynamics environment test
    在力学环境因素作用下，考核、评价产品的功能可靠性、结构完好性的试验。
7.7.14 气候环境试验 climate environmental test
    考核、评价产品在气候环境因素作用下的性能、可靠性和安全性的试验。
7.7.15 三防处理 anticorrosive technique
    对潮湿、霉菌、盐雾等环境采取的防护措施。

Ⅱ电子元器件生产工艺

7.7.16 外延 epitaxy
    采取化学反应晶体生长技术，用以在决定晶向的基质衬底表面上生长一薄层与晶体有相同晶格结构的半导体材料的过程。
7.7.17 硅气相外延 silicon vapor-phase epitaxy(VPE)
    利用四氯化硅(SiCl₄)、三氯氢硅(SiHCl₃)、二氯二氢硅(SiH₂Cl₂)或硅烷(SiH₄)等硅的气态化合物，在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生热分解还原成硅，并以单晶的形式沉积在硅衬底表面的过程。
7.7.18 分子束外延 molecular-beam epitaxy(MBE)
    通过聚焦的电子束源产生的电磁场，使硅原子蒸发得到外延反应所需的硅反应原子；硅原子束离开硅源，通过排泄腔体，不碰撞并直接沉积在硅衬底表面形成外延层的过程。
7.7.19 氧化 oxidation
    在硅表面上生长一层二氧化硅薄膜的技术。
7.7.20 光刻 photolithography，lithography，masking
    图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
7.7.21 刻蚀 etching
    把进行光刻前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分，以化学或物理作用的方式去除，以完成转移掩膜图形到薄膜上面的过程。
7.7.22 扩散 diffusion
    杂质原子或分子在高温下由高浓度区向低浓度区的移动过程。
7.7.23 掺杂 doping
    用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体材料中，以改变材料的电学性质的过程。
7.7.24 化学气相沉积 chemical vapor deposition(CVD)
    一种或数种物质的气体以某种方式被激活后，在衬底表面发生化学反应并淀积出所需固体薄膜的生长技术。
7.7.25 溅射 sputtering
    高能粒子撞击高纯度的靶材料，被撞击出的原子穿过真空，最后淀积到硅片或其他基片上的过程。
7.7.26 离子注入 ion implant
    将待掺杂的物质电离，加速成能量级为100keV的高能量离子束入射到材料中，离子束与材料中的原子或分子发生一系列的物理、化学作用；入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能或获得某些新的优异性能的过程。
7.7.27 退火 anneal
    将晶圆加热到一定温度，然后冷却以达到特定结果的过程。
7.7.28 金属化 metallization
    应用化学或物理方法在芯片上淀积导电薄膜的过程。
7.7.29 钝化 passivation
    为避免周围环境气氛和其他外界因素对器件性能产生影响而在器件表面形成保护膜的过程。
7.7.30 化学机械抛光 chemical-mechanical polish(CMP)
    化学腐蚀和机械磨削同时进行的抛光技术。
7.7.31 化学机械平坦化 chemical-mechanical planarization
    用化学腐蚀与机械研磨相结合的方式除去硅片顶部多余的厚度，使硅片表面平坦化的技术。
7.7.32 键合 bonding
    用细金属丝将半导体器件芯片上的电极和底座外引线相连接的过程。
7.7.33 封装 packaging
    为使芯片与外界环境隔绝、不受污染，且便于使用、焊接，将芯片固定在外壳上并将芯片密封的过程。
7.7.34 阵列工艺 array process
    在玻璃基板上通过成膜、光刻、刻蚀等半导体工艺技术，制作有规则排列的特定薄膜晶体管(开关器件)阵列，以形成数据线、存储电容和信号线的工艺。
7.7.35 清洗 cleaning process
    清除吸附在玻璃基板表面上的各种有害杂质或油污的过程。
7.7.36 干法清洗 dry cleaning
    通过紫外线光清除基板表面有机污染物的清除方法。
7.7.37 等离子增强化学气相沉积 plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
    通过等离子体的活性促进化学反应，使气体反应物质生成固态物质并沉积在玻璃基板表面的薄膜沉积工艺技术。
7.7.38 湿法刻蚀 wet etching process
    采用液态化学药品对被蚀刻物质进行刻蚀的方法。
7.7.39 干法刻蚀 dry etching process
    在气相中对基板表面、被蚀刻物质进行刻蚀的方法。
7.7.40 聚酰亚胺取向剂涂覆 polyimide direction coater process
    在薄膜晶体管液晶显示器阵列玻璃基板和彩色滤光片玻璃基板上，通过旋转涂敷和印刷方式形成液晶取向层，以备下一道工序对其进行摩擦取向，达到对液晶分子进行取向目的的过程。又称PI涂覆。
7.7.41 摩擦 rubbing process
    为在聚酰亚胺取向剂膜(PI膜)上形成具有一定方向的沟槽，对涂覆在两片玻璃基板上的取向剂，用摩擦辊上的绒毛对该膜进行的表面摩擦。
7.7.42 摩擦后清洗 after rubbing cleaner
    对摩擦定向后产生的绒毛、取向剂膜屑等尘埃进行的清除。
7.7.43 封框胶涂复 seal material coating process
    制屏贴合前用丝网印刷技术或可滴涂方式，将封框胶图形制作在一片玻璃基板上，把公共电极导电胶制作在另一片玻璃基板上，然后将两片玻璃贴合封接制成液晶盒的工艺过程。
7.7.44 贴合 panel alignment process
    将上下两片玻璃基板对位压合成液晶盒的工艺过程。
7.7.45 成盒 cell process
    将已制备好的薄膜晶体管液晶显示器阵列玻璃基板和彩色滤光片玻璃基板组装到一起，使两块玻璃基板之间充有液晶材料，加上适应的电场即可进行图像显示的液晶盒(屏)的工艺过程。
7.7.46 切割 cutting process
    将集成在一大片玻璃基板上的多个液晶显示器件半成品面板，切割成独立的多个液晶显示面板的工艺过程。
7.7.47 液晶模组 liquid crystal module(LCM)process
    将金属外框、液晶面板(屏)、挠性印制电路板、驱动集成电路芯片、印制电路板、背光源组件组装成为一个完整的显示器单元的工艺过程。
7.7.48 贴片前清洗 panel cleaning process
    偏光片贴附前，对液晶面板(屏)表面进行擦拭的过程。
7.7.49 偏光片贴覆 polaroid attach
    在薄膜晶体管液晶显示器液晶盒前后玻璃基板表面分别粘贴偏光片的工艺过程。
7.7.50 各向异性导电胶带贴覆 anisotropic conductive film(ACF) attach process
    利用各向异性导电胶带在高温高压作用下的固化特性，把上下电极可靠连接的过程。又称ACF贴覆。
7.7.51 芯片载带封装贴装 tape carrier packaging(TCP) assembly
    将液晶屏与芯片载带封装，并将芯片载带封装与印制电路板进行连接。又称TCP贴装。
7.7.52 带状元件自动邦定 tape automated bonding(TAB)
    通过各向异性导电胶带粘接，带有集成电路芯片的芯片载带封装在一定温度、压力和时间下，热压面实现屏和驱动线路板连接的加工方式。
7.7.53 显示屏上贴装芯片 chip on glass(COG)
    将驱动集成电路芯片直接贴装到显示屏玻璃边缘的引线上的安装方式。
7.7.54 印制电路板上贴装芯片 chip on board(COB)
    芯片被邦定在印制电路板上，再与液晶显示面板外引线连接的安装方式。
7.7.55 液晶预滴入 one drop filling process(ODF)
    在彩膜基板的封框胶内，用多个针筒定量大密度地滴下液晶，利用液晶的表面张力流延使显示区内充满液晶，再在真空条件下将阵列基板翻转对位、贴盒、加压、热合使其成为液晶盒的过程。
7.7.56 老化 aging process
    在指定的条件下，元器件的性能随时间变化后达到基本稳定的过程。
7.7.57 丝网印制 screen printing
    利用丝网镂空版和印料，经刮印得到图形的方法。简称丝印法。

Ⅲ电子材料生产工艺

7.7.58 切片 cutting
    通过镶铸金刚砂磨料的刀片或钢丝的高速旋转、接触、磨削作用，将硅锭定向切割成为符合规格要求的硅片的过程。
7.7.59 冶金提纯法 metallurgical purifying method
    将金属硅直接进行冶炼，通过高温熔炼和定向凝固去除杂质，得到6N以上金属硅的方法。又称物理法。
7.7.60 改良西门子法 improved siemens method
    氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，再对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行化学气相沉积反应生产高纯多晶硅的方法。
7.7.61 硅烷法 silane method
    通过四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、直接氢化法等制取硅烷(SiH₄)，再将制得的硅烷气提纯后，在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅的方法。
7.7.62 流化床法 fluidized bed method
    以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料，在流化床(沸腾床)内高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，生成硅烷气；制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内，进行连续热分解反应生成粒状多晶硅的方法。
7.7.63 熔融析出法 vapor to liquid deposition(VLD)
    使用三氯氢硅为原料，在筒状反应炉进行气相反应，直接析出液体状硅的方法。

Ⅳ玻璃陶瓷制造工艺

7.7.64 配料 batching
    根据已制定的玻璃配方对石英砂、长石等原材料进行称量、混合、搅拌的工艺过程。
7.7.65 气力输送 pneumatic conveying
    借助气体或气体在管道内的流动，输送干燥的散状固体粒子或颗粒物料的输送方法。
7.7.66 熔化 melting
    通过燃料燃烧对配合料加热使其熔融成玻璃液的过程。
7.7.67 全氧燃烧 full oxygen combustion
    理论上采用纯氧气助燃的燃烧。
7.7.68 富氧燃烧 oxygen-enriched combustion
    采用含氧量大于20.93％的富氧空气助燃的燃烧。
7.7.69 电助熔 electric boosting
    在火焰窑的熔化池底插入若干电极并向电极供电，交流电通过电极在熔融玻璃液内产生焦耳热，以改善玻璃的熔制、澄清与对流的电辅助加热方法。
7.7.70 成型 forming
    采用机械和其他方法，通过成型设备将玻璃由玻璃态物质制成具有一定形状、体积坯件的过程。
7.7.71 冷加工 cold working
    玻璃成型后期的研磨、抛光等机械加工过程。
7.7.72 研磨 grinding
    用研磨工具和研磨剂，从工件上研去一层极薄表面层的精加工过程。
7.7.73 抛光 polishing
    用抛光材料对玻璃制品表面进行整平处理，降低粗糙度，使凹凸的表面变得平滑、精美，增加表层的光泽和外观质量的过程。
7.7.74 熔融溢流法 fusion overflow process
    在熔窑末端设有特制供料道，使熔融玻璃液从供料道进入U形溢流槽，当溢流槽充满时玻璃液便从溢流槽两侧自然外溢下流，在U形溢流槽的底部汇合成一体形成玻璃带，在重力作用下继续下落，再经机械下拉辊拉引成超薄玻璃的方法。
7.7.75 浮法 floats law
    熔融的玻璃液从熔窑内连续流出后，漂浮在充有保护气体的金属锡液面上，形成厚度均匀、两表面平行、平整和抛光的玻璃带，再进行退火的方法。

Ⅴ光纤光缆制造工艺

7.7.76 管外气相沉积 outside vapour deposition(OVD)
    通过氢氧焰或甲烷焰中携带的四氯化硅等气态卤化物产生“粉末”，一层一层沉积获得芯玻璃的工艺。
7.7.77 轴向气相沉积 vapour axial deposition(VAD)
    化学反应机理与管外气相沉积工艺相同，但由下向上垂直轴向生长预制棒的沉积工艺。
7.7.78 改进的化学气相沉积 modified chemical vapour deposition(MCVD)
    以氢氧焰热源发生在高纯度石英玻璃管内进行的气相沉积工艺。
7.7.79 等离子化学气相沉积 plasma activated chemical vapour deposition(PCVD)
    微波激活气体产生等离子使反应气体电离，电离的反应气体呈带电离子；带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态反应物形成透明的石英玻璃沉积薄层的工艺。
7.7.80 熔缩 collapsing
    沿管子方向往返移动的石墨电阻炉将不断旋转的管子加热到2200℃，在表面张力的作用下，分段将沉积好的石英管熔缩成预制棒的过程。
7.7.81 外包层制造 overcladding
    套管法、等离子喷涂法(plasma spray)、火焰水解法(flame hydrolyzing process)和溶胶-凝胶法(sol-gel)等大光纤预制棒制造技术的统称。
7.7.82 套管法 rod in tube(RID)
    将气相沉积工艺制成的芯棒置入一根作光纤外包层的高纯石英玻璃管内制造大预制棒的技术。
7.7.83 等离子喷涂法 plasma spray
    用高频等离子焰将石英粉末熔制于气相沉积工艺得到的芯棒上制成大预制棒的技术。
7.7.84 溶胶-凝胶法 sol-gel
    采用溶胶-凝胶工艺制成合成石英管作为套管，再用套管法制成大预制棒的方法；或采用溶胶-凝胶工艺制成合成石英粉末，再用高频等离子焰将合成石英粉末熔制于芯棒上制成大预制棒的方法。
7.7.85 火焰水解法 flame hydrolyzing process
    将管外气相沉积、轴向气相沉积等火焰水解外沉积工艺在芯棒上进行应用的方法。
7.7.86 拉丝 drawing
    将采用气相沉积法和外包层技术结合制成的大光纤预制棒直径缩小，且保持芯包比和折射率分布恒定的操作过程。
7.7.87 成缆 core stranding
    将若干绝缘线芯或光单元组合按一定规则绞合的工艺过程。
7.7.88 光纤着色 coloring optical fiber
    为在光纤接续、成端、使用时能识别其纤序，光纤成缆前在一次涂覆光纤上着色的过程。
7.7.89 光纤并带 fiber ribbon
    光纤以全色谱或领示色谱排列，用丙烯酸树脂固化集封成薄带的工艺。
7.7.90 光纤二次被覆 secondary coating
    选用高分子材料聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，在合理的工艺条件下，采用挤塑方法给光纤套上与光纤长度相等的松套管，同时在松套管中注入触变型纤膏的过程。
7.7.91 松套光纤“SZ”绞合成缆 stranded loose tube cabling
    将套管和填充绳以“SZ”形式绞合在中心加强件上，再经扎纱、涂覆油膏、包带后成为缆芯的方法。
7.7.92 中心束管钢丝绞合成缆 steel wire central tube stranded cabling
    将松套束管置于光缆中心，管外绞合一层磷化钢丝，钢丝间填充阻水缆膏并绕包阻水带，合纵包双面涂塑钢带，最后抽真空再挤套中密度聚乙烯护套的成缆方法。

Ⅵ电子相关工艺设计

7.7.93 工艺设计 process design
    对产品生产的方式、方法进行设计和规划的过程。
7.7.94 工艺条件 process requirements
    因生产工艺及其设备需要，对土建、机电等有关专业提出的设计要求。
7.7.95 工厂布置 facility layout
    在整个工厂层面上对生产场所、生产活动、人员及设备作出的空间安排。
7.7.96 港湾式布置法 bay-chase type layout
    把工艺联系紧密的一组设备相向布置在一条通道两侧，形成一个生产单元(bay)，然后将多个生产单元分别排布在一条中央通道的两侧，使每个单元内的通道沿中央通道的垂向布置，从而形成完整的生产线的工艺布置方法。
7.7.97 小岛布置法 island layout
    按生产单元划分功能区，功能区在生产厂房中形似一个个岛屿的布置方法。又称单元布置法。
7.7.98 物料闸间 lock for material
    设置在不同空气净化要求的区域之间，用于物料进出时隔断两区域之间的空气流动并可用于物料表面清洁的区域。
7.7.99 成组技术 group technology
    通过鉴别零件(加工工件)相似性，根据预定的规则将具有一定相似程度的零件形成零件组，从而使多品种、小批量的零件生产获得批量生产优势的技术。
7.7.100 单元化制造 cellular manufacturing
    根据功能和设备内在关系划分的生产和加工单元组成的生产系统。
7.7.101 及时制生产 just-in-time(JIT)
    在需要时，按需要的量生产所需产品的生产方式。
7.7.102 计算机集成制造系统 computer integrated manufacturing system(CIMS)
    所有的活动都集成为基于计算机的计划、管理和控制的一种制造技术系统。
7.7.103 柔性制造系统 flexible manufacturing system(FMS)
    由数控的制造装置与传送机构组成的系统，可适应制造任务中的各种变化。