9.6 电磁屏蔽

9.6.1 硅集成电路芯片生产相关工序的房间和测量、仪表计量房间，凡属下列情况之一，应采取电磁屏蔽措施：
    1 环境的电磁场强度超过生产设备和仪器正常使用的允许值；
    2 生产设备及仪器产生的电磁泄漏超过干扰相邻区域所允许的环境电磁场强度值；
    3 有特殊电磁兼容要求时。
9.6.2 环境电磁场场强宜以实测值为设计依据。缺少实测数据时，可采用理论计算值再加上6dB～8dB的环境电平值作为干扰场强。
9.6.3 生产设备和仪器所允许的环境电磁场强度值，应以产品技术说明要求为依据。
9.6.4 对需要采取电磁屏蔽措施的生产工序，在满足生产操作和屏蔽结构体易于实现的前提下，宜直接对生产工序中的设备工作地环境进行屏蔽。
9.6.5 对需要采取电磁屏蔽措施的区域，屏蔽结构的屏蔽效能应在工作频段有不小于10dB的余量。屏蔽室的电磁屏蔽效能，可按表9.6.5的数值确定。 9.6.6 屏蔽措施可选择下列方式：
1 直接对生产设备工作地环境进行屏蔽时，宜选择装配式的商品屏蔽室；
2 对生产工序整体环境进行屏蔽时，宜选择非标设计和施工安装的屏蔽体；
3 对仪表计量房间的电磁进行屏蔽时，装配式的商品屏蔽室与非标设计和施工安装的屏蔽体均可采用。
9.6.7 屏蔽效果验收测量应符合现行国家标准《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》GB/T 12190的规定。