2 术语

    经过集成电路前工序加工后，形成了电路管芯的硅或其他化合物半导体的圆形单晶片。

2.0.2  中测    chip testing

    对完成前工序工艺的晶圆进行器件标准和功能性电学测试。

2.0.3  磨片    wafer grinding

    通过磨轮磨削等手段对晶圆背面减薄，以满足划片加工的厚度要求。

2.0.4  划片    wafer saw

    将减薄后的晶圆切割成独立的芯片。

2.0.5  粘片  die bond

    将切割好的芯片置放到引线框架或封装衬底或基座条带上。

2.0.6  焊线    wire bond

    芯片上的引线孔通过金线或铜线等与框架衬底上的引脚连接，使芯片电路能与外部电路连通。

2.0.7  塑封    molding

    环氧树脂经模注、灌封、压入等工序将芯片、框架或基板、电极引线等封为一体。

2.0.8  电镀  plating

    在框架引脚上形成保护性镀层，以增强可焊性。

2.0.9  成品测试  testing

    对包封后的集成电路产品分选测试的过程。

2.0.10  晶圆级封装  wafer level packaging

    在完整晶圆上完成包括成品测试在内的各道工艺，最后切割成单个电路的封装形式。

2.0.11  通孔  through silicon via

    采用深层等离子刻蚀、激光加工或湿法刻蚀等方式在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通。

2.0.12  凸块    bumping

    采用金、铅锡或铜等材料利用薄膜或化学镀工艺制成倒装芯片电路的接触点。