3.1 一般规定

3.1.1 生产环境宜符合表3.1.1的要求。

表3.1.1 生产环境需求表

3.1.2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定：

1 用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ·cm；

2 用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ·cm～1MΩ·cm范围内；

3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ·cm。

3.1.3 生产过程所使用气体的品质应符合下列规定：

1 用于通孔、凸块工序的气体纯度不宜低于99.9999％、露点不宜低于—60℃；

2 用于中测、磨片、划片、粘片、焊线、塑封等工序的气体纯度宜在99.99％～99.9999％范围内、露点宜在—40℃～—60℃范围内。

条文说明

3.1.1 集成电路封装材料成型之前的工序中引线和电路暴露在外，因此洁净度及温湿度要求高于材料成型之后的工序。

通孔和凸块工艺与前工序工艺类似，因此环境要求参照前工序工艺确定。

3.1.2 纯水水质的确定是参照目前集成电路封装测试厂的工程实践。纯水电阻率越高，导电性越差，高速冲击下越容易产生静电。静电对于芯片划片加工的危害主要表现在两方面：①静电积累放电造成放电氧化或击穿等损伤芯片；②硅屑等微粒产生静电吸附造成芯片表面不容易清洗干净。因此可通过CO₂加入纯水可降低纯水电阻率，防止清洗降温时的静电产生和积累。烘干后，CO₂变成气体挥发掉，芯片表面保持纯净。但是CO₂过量加入水中会产生酸性腐蚀，影响刀片寿命，因此必须严格控制CO2加入量。

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