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3.3 工艺布局


3.3.1  工艺布局应符合下列规定:

    1  生产设备应按照工艺流程顺序布置,避免交叉;

    2  辅助设施应靠近生产区;

    3  物流人流应分开设置。

3.3.2  生产区应设置单独的设备和物料出入口,并应配置相应的物料净化设施。

3.3.3  生产区净高应根据生产设备及安装确定。

3.3.4  生产区内宜设置原材料、成品及设备备品备件暂存区域。

3.3.5  生产区应设置单独人员出入口,人员进入7级以上净化区应经过风淋系统。

3.3.6  生产区操作人员走道宽度应根据设备操作、人员通行及材料搬运需要确定。

3.3.7  生产洁净区宜设置参观走道。

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3.2  技术设备

3.2.1  集成电路封装技术发展十分迅速,封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用,也为集成电路芯片起到机械或环境保护的作用,从而集成电路芯片能够发挥正常的功能,并保证其具有高稳定性和可靠性。

    由于集成电路的集成度越来越高,功能越来越复杂。相应地要求集成电路封装密度越来越大,引线数越来越多,而体积越来越小,重量越来越轻,更新换代越来越快,封装结构类型的合理性和科学性将直接影响集成电路的质量。

    20世纪80年代之前主要封装形式为通孔插装,以TO型封装和双列直插封装为代表,集成电路的功能数不高,引线脚数较小,不多于64。80年代后进入表面贴装时代,以小外形封装(SOP)和四边引脚扁平封装(QFP)为代表,大大提高了引脚数和组装密度,最大引脚数达300。同时塑封外形也分为方形扁平型和小型外壳型。90年代后,球栅阵列(BGA)封装和芯片尺寸封装(CSP)发展迅速,这一阶段主要封装类型有BGA、CSP、WLCSP和SIP等。主要特点是加宽了引脚间距并采用底部安装引脚的形式,大大促进了安装技术的进步和生产效率的提高。通常CSP都是将晶圆切割成单个IC芯片后再实施后道封装,而WLCSP的工序基本上完全在已完成前工序的晶圆上完成,最后才将晶圆切割成分离的独立电路。90年代末,进入了三维堆叠(3D)封装时代,通过在垂直方向上将多层平面器件堆叠起来,并采用硅通孔技术在垂直方向实现通孔互连的系统级集成,这样可以减少封装的尺寸和重量,并可以将不同技术集成在同一封装中,缩短了互连从而加快了信号传递速度,降低了寄生效应和功耗。

    据《国际半导体技术路线图》ITRS 2012版的预测,TSV及3D集成在晶圆厚度、硅通孔直径、对准精度等继续向微细化方向发展。详见下表:

表1  TSV及3D集成晶圆技术规格预测表

3.2.3  集成电路封装测试工厂的产品的品种较多,产能需求各不相同,而且变化较快,因此在设备种类及数量上需综合考虑,并具有一定的灵活性。对于产能较大的封装测试厂,生产设备需要较高的自动化程度以及较高的运行稳定性。

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集成电路封装测试厂设计规范 GB51122-2015
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