10.3 处理设备

10.3.2 袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系。在纯氧燃烧的熔炉系统中，要以1.8m/min为正常设计值。

10.3.3 本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求。

    采用选择性非催化还原Selective Non-Catalytic Reduction，以下简写为SNCR技术，不使用催化剂；在850℃～1000℃的温度范围内，将含氨基的还原剂（如氨水、尿素溶液等）喷入炉内，将烟气中的氮氧化物还原脱除，生成氮气和水。

    在合适的温度区域，且氨水和尿素作为还原剂时，其反应方程式为：

    （1）NH₃为还原剂：

4NH₃＋4NO＋O₂→4N₂＋6H₂O

    NO₂具有氧化性，和NH₃反应生成H₂O和N₂

6NO₂＋8NH₃→7N₂＋12H₂O

    （2）尿素为还原剂：

2NO＋2CO（NH₂）₂＋O₂→3N₂＋2CO₂＋2H₂O

10.3.4 本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求。

    1 高效选择性非催化还原法（HESNCR）为SNCR的改进型（第二代的SNCR系统），有比SNCR更高的脱硝处理效果。

    HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器，首先常温预先雾化氨水溶液，然后高温气化并增压，气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内，使氨与烟气充分混合并接触反应。在炉膛800℃～1100℃这一狭窄的温度范围内，在无催化剂作用下，氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物，基本上不与烟气中的氧反应，主要反应与SNCR相同：NH₃＋NO_x→N₂＋H₂O。

    HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度、氨和氮氧化物的化学计量比、混合程度、反应时间等。研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要，最佳反应温度是950℃，若温度过低，氨的反应不完全，容易造成氨泄漏；而温度过高，氨则容易被氧化为氮氧化物，抵消了氨的脱除效率。温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降。通常设计合理的HESNCR工艺能达到60％～70％的脱除效率。

    2 反应室可以是熔炉、锅炉或单独设计的反应室，HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似。此系统还原剂氨，一般采用氨水溶液。

10.3.5 本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求。

    1 逆流式活性炭选择性催化还原法（Coke Selective Catalytic Reaction，CSCR），是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺（100℃～200℃）。CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行，一步处理即能够达到处理效果。活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素。脱硫是利用活性焦炭的吸附特性；脱硝是通过氨、一氧化氮/二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除。

    主要化学反应方程式如下：

6NO＋4NH₃→5N₂＋6H₂O

6NO₂＋8NH₃→7N₂＋12H₂O

    2 CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分：

        （1）鼓风机；

        （2）气体淬火系统（若需要）；

        （3）吸收塔；

        （4）解吸塔；

        （5）催化剂注入系统，传输系统及装卸系统；

        （6）氨储存系统，蒸发系统及注入系统；

        （7）氮气供应系统；

        （8）控制系统；

        （9）电气系统。

10.3.6 本条是关于氨供应系统的要求。

    1 液氨蒸发器一般为螺旋管式。管内为液氨，管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力。通常以蒸汽直接喷入水中加热至40℃，再以温水将液氨汽化，并加热至常温。

        （1）氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节。当水的温度高过55℃时，则切断热源来源，并在控制室DCS上报警显示。

        （2）如使用蒸汽作为热源，提供的蒸汽压力一般为0.8MPa～1.3MPa，温度280℃～375℃，以此作为蒸发器热源。

        （3）蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0.2MPa。当出口压力达到0.38MPa时，切断液氨进料。

        （4）蒸发罐安装安全阀，能防止设备压力异常过高。

    2 液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽，其作用是对氨气进行一个缓冲作用，保证氨气有一个稳定的压力。氨气缓冲槽的结构相对简单，主要包括氨气的进出口、安全阀以及排污阀等。