2 术语

    经过不断完善的多晶硅生产主流工艺，是将高纯三氯氢硅与高纯氢气按一定比例通入还原炉，发生还原或热分解反应，在1050℃左右的高纯硅芯基体表面上沉积生长多晶硅；同时具备回收、利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物料内部循环、能量综合利用”的多晶硅生产工艺。

2.0.2  多晶硅  polysilicon

    单质硅的一种形态，硅原子以晶格形态排列成许多晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒组合结晶成多晶硅。根据用途可分为太阳能级和半导体级。

2.0.3  还原尾气干法回收    reduction off-gas recovery by dry method

    一种相对于传统湿法回收尾气工艺的方法，利用尾气中各组分物理化学性质的差异采用冷凝、吸收、解析、吸附等方法，将其逐一分开回收、提纯，再重新返回生产系统循环利用。

2.0.4  四氯化硅氢化    silicon tetrachloride hydrogenation

    一种处理多晶硅副产物四氯化硅的方法，与氢反应将其转换成三氯氢硅。

2.0.5  三氯氢硅合成    trichlorosilane synthesis

    一种制取三氯氢硅的方法，将硅粉和氯化氢通入有一定温度的反应器内通过化学反应生成三氯氢硅。

2.0.6  氯硅烷精馏    chlorosilane distillation

    一种通过气液交换，实现传质、传热，使氯硅烷混合物得到高纯度分离的方法。

2.0.7  液氯汽化  liquid chlorine vaporization

    一种将液氯加热蒸发成氯气的方法。

2.0.8  氯化氢合成  hydrogen chloride synthesis

    通过化学反应将氢气、氯气生成氯化氢气体的方法。

2.0.9  盐酸解析  hydrochloric acid stripping

    一种将氯化氢从盐酸中解析出来的方法。

2.0.10  还原炉    reduction reactor

    一种生产棒状多晶硅的专用设备。

2.0.11  二氯二氢硅反歧化    inverse disproportionating of di-chlorosilane

    一种回收利用二氯二氢硅的方法，通过化学反应将二氯二氢硅与四氯化硅转化成三氯氢硅。

2.0.12  多晶硅后处理  polysilicon handling

    根据客户和产品分析检测的要求，多晶硅出炉后进一步处理的统称，包括切除头尾、钻棒、滚圆、破碎、分拣、称重、腐蚀、清洗、干燥及包装等。

2.0.13  氯硅烷  chlorosilane

    硅烷(SiH4)中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)、一氯三氢硅(SiH3Cl)等。

2.0.14  还原尾气  reduction off-gas

    还原炉内生成多晶硅的反应过程中未参与反应的原料和生成的副产物的混合气体，主要包括氢气、气态氯硅烷及氯化氢等。

2.0.15  防爆防护墙  explosion-proof protective wall

    具有一定防爆能力的隔墙，能防止爆炸产生的飞散物对设施及人员的伤害。