8.1 一般规定

    表8.1.1列出了多晶硅工厂主要生产厂房、工段装置、辅助用房和公用工程的火险类别及耐火等级规定。

    目前国内多晶硅工厂主要以三氯氢硅氢还原法工艺生产多晶硅，四氯化硅转化用氢化工艺，尾气回收采用干法回收工艺，主要装置火险类别均为甲类的有：制氢、三氯氢硅合成、精馏、还原、还原尾气回收、废气处理、氢化、氢化尾气回收、原料罐区、离子膜电解、氯氢处理。在多晶硅生产过程中原料有硅粉(易爆粉尘)、二氯二氢硅(易燃液体)、三氯氢硅(易燃液体)、氢气(易燃易爆气体)等。整理(前、后处理)厂房主要包括出炉硅棒去石墨、破碎、筛选、酸洗、称重包装、入库，以及硅芯制备及区熔检验生产和高纯石墨生产线，生产火险类别为丙类。其他表中未列出的辅助车间及公用工程的火险类别划分均按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定执行。

    表8.1.1中的耐火等级规定是根据多晶硅工厂各厂房、装置的火险类别、生产性质和重要性制订的，表中未列出的其他建(构)筑物耐火等级的确定应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关章节执行。

    表8.1.1中的整理厂房包括多晶硅前处理和后处理两个工序。其中前处理是多晶硅还原配套的辅助工艺单元，主要包括硅芯制备、石墨煅烧等；而后处理是多晶硅破碎、分拣、称重、腐蚀清洗及包装的统称。

8.1.2  多晶硅工厂是典型的化工厂，生产过程中有易燃、易爆物质存在，为了降低相邻建(构)筑物之间的影响，能适应火灾扑救、人员安全疏散，保证财产和人身安全，必须设置安全间距；多晶硅工厂建(构)筑物之间的最小间距就是防火间距，但是有特殊要求的除外，如洁净厂房与主要交通干道的间距要考虑空气的污染情况。由于现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016中没有规定露天工艺装置和其他建(筑)物的防火间距，因此该部分执行现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB 50160的有关规定。

8.1.3  多晶硅工厂主要装置火险类别和爆炸的危险性较高，一般应露天或半露天设置，但是工艺上对环境防冻温度及防风沙有要求的装置可以放置在厂房里。如为了保证产品质量，工艺要求把生产半导体级产品的还原炉布置在空气洁净度为8级以上(相当于原10万级)的洁净区内，生产太阳能级产品的还原炉布置在送风为三级过滤的洁净区内，产品通过洁净连廊直接送到整理厂房，以减少污染的机会。整理厂房内硅块生产过程和产品的空气洁净度要求为7级以上(相当于原万级)。露天装置和厂房的爆炸危险区范围的划分按现行国家标准《爆炸危险环境电力装置设计规范》GB 50058的有关规定执行。封闭后厂房的防火设计、防爆措施和泄压面积的计算应执行现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016有关章节的规定，并对人员的安全疏散采取防护措施。

8.1.4  厂房、库房的防火分区应符合下列规定：

    1  本款提出了生产厂房、辅助设施和公用工程划分防火分区的原则要求。

    2  考虑到还原厂房、整理厂房一般都是多功能房间组合布置，多层厂房的防火分区划分宜按层划分，同时规定在按层划分防火分区时，应用封闭楼梯间来解决疏散问题。封闭楼梯间的设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定执行。

8.1.5  本条是对多晶硅工厂中安全和卫生设计的规定性要求。由于现行国家标准《工业企业设计卫生标准》GBZ 1中无露天装置的相关规定，所以露天装置部分还需执行现行行业标准《石油化工企业职业安全卫生设计规范》SH 3047的相关规定。