5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理

5.6.2  采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽。

5.6.3  硅芯制备的房间应设置在洁净区内。

5.6.4  多晶硅后处理应包括产品运输、破碎、分拣、包装、腐蚀清洗等工序，其中运输、破碎、分拣、包装工序应符合下列规定：

    1  硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定，并应靠近还原车间；

    2  硅棒运输车内衬板宜采用耐磨、不吸尘的非金属材料；

    3  硅棒破碎方式应根据生产规模、物料性能和产品粒度确定，可采用人工破碎或机械破碎；

    4  破碎工具与产品接触部分，应选用硬度大和强度高的材料；

    5  破碎系统应设置除尘装置；

    6  破碎粒度应符合现行国家标准《硅多晶》GB/T 12963和《太阳能级多晶硅》GB/T 25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求；

    7  破碎、分拣、包装应设置在洁净区内。

5.6.5  腐蚀清洗工序应符合下列规定：

    1  腐蚀清洗应设置在洁净区内；

    2  腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口，并应与人员出入口分开；

    3  供酸室应与腐蚀清洗室分开布置，供酸室应布置在便于酸桶运输的地方，并应采取防护措施；

    4  腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风，废气应处理达标后再排放；

    5  输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯(PVC)管。