5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化

5.2.2  三氯氢硅合成工序的原料之一的氯化氢(HCl)可采用氯化氢合成或盐酸解析工艺制取。

5.2.3  液氯汽化工序的液氯汽化器应采用热水加热，水温宜为40℃～70℃，不应使用蒸汽加热，并应设置冬、夏季不同温度的冷、热水汽化液氯。液氯汽化工序的设计应符合现行国家标准《氯气安全规程》GB 11984的有关规定。

5.2.4  三氯氢硅合成工序应采用干、湿结合的除尘工艺，并应提高单次运行时间。

5.2.5  三氯氢硅合成工序的工艺尾气应采用吸附装置回收氢气和氯化氢。

5.2.6  合成和冷氢化工序宜设置硅粉干燥工序，干燥用气应回收循环使用。

5.2.7  四氯化硅氢化装置应根据多晶硅生产规模、所在地区能源价格、投资成本及建设周期综合经济比较后确定采取高温氢化上艺、固定床冷氢化工艺或流化床冷氢化工艺。

5.2.8  氢化装置宜与氢化冷凝液提纯装置临近布置。

5.2.9  冷氢化装置应配套残液回收装置，并应就近配置。

5.2.10  冷氢化装置宜独立设置于敞开或半敞开式的构筑物内，制冷系统可布置于建筑物内；附属辅助系统宜在满足防火间距的基础上毗连布置。

5.2.11  主要设备选型应符合下列规定：

    1  氢气压缩机应选择密封性好、噪声小、故障率低的机型，宜设置备用机；

    2  宜选用运行稳定、故障率低、密封好的泵，应设置备用机。