目录导航
- 前言
- 1 总则
- 2 术语
- 3 基本规定
- 4 厂址选择及厂区规划
- 4.1 厂址选择
- 4.2 厂区规划
- 5 工艺设计
- 5.1 一般规定
- 5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
- 5.3 氯硅烷提纯
- 5.4 三氯氢硅氢还原
- 5.5 还原尾气干法回收
- 5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理
- 5.7 分析检测
- 6 电气及自动化
- 6.1 电气
- 6.2 自动化
- 7 辅助设施
- 7.1 压缩空气站
- 7.2 制氮站
- 7.3 制氢站
- 7.4 导热油
- 7.5 纯水制备
- 7.6 制冷
- 7.7 蒸汽
- 8 建筑结构
- 8.1 一般规定
- 8.2 主要生产厂房和辅助用房
- 8.3 防火、防爆
- 8.4 洁净设计及装修
- 8.5 防腐蚀
- 8.6 结构设计
- 9 给水、排水和消防
- 9.1 给水
- 9.2 排水
- 9.3 废水处理
- 9.4 循环冷却水系统
- 9.5 消防
- 10 采暖、通风与空气调节
- 10.1 一般规定
- 10.2 通风
- 10.3 空气调节与净化
- 10.4 防排烟
- 10.5 空调冷热源
- 11 环境保护、安全和卫生
- 11.1 环境保护
- 11.2 安全
- 11.3 卫生
- 12 节能、余热回收
- 12.1 一般规定
- 12.2 生产工艺
- 附录A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距
- 附录B 地下管线之间的最小水平净距
- 附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度
- 本规范用词说明
- 引用标准名录
-
笔记需登录后才能查看哦~
京公网安备110105014475