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8.5 防腐蚀


8.5.1  多晶硅工厂腐蚀性介质类别的划分应符合表8.5.1的规定。

表8.5.1  多晶硅工厂腐蚀性介质类别划分

    注:1  介质本身无腐蚀性,但遇水后生成盐酸,为强腐蚀性;

        2  表中腐蚀介质的类别应按现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB 50046的有关规定分类。

8.5.2  建(构)筑物防腐蚀处理应符合下列规定:

    1  地面防腐蚀应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB 50046的有关规定,并应符合下列规定:

        1)有液态介质腐蚀的地面应以块材面层或整体面层防腐蚀为主,不经常接触液态介质腐蚀的露天装置楼面的整体面层可选择耐候性好的防腐蚀耐磨涂料,厚度不应小于0.5mm~1mm,室外环境下不得使用环氧涂料;

        2)露天装置钢结构框架楼面选用钢格板时,钢格板应采用耐腐蚀的材料制作或进行防腐蚀处理,也可对钢格板楼面采取局部承接盘引流等防泄漏措施;

        3)有液态介质腐蚀的底层地面排水坡度不宜小于2%,楼层不宜小于1%;

        4)有液态介质腐蚀的地面排水沟宜采用明沟,沟宽超过300mm时应设置耐腐蚀的箅子板或沟盖板,地沟底面的纵向坡度宜为0.5%~1%。

    2  在气态介质和固态粉尘介质作用下,墙面、顶棚、梁、板、柱等建筑构件的表面防护宜以防腐涂料为主,防腐涂料的使用情况应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB 50046的有关规定。

    3  有液态介质腐蚀的钢筋混凝土池、槽、坑的防腐蚀应符合现行国家标准《工业建筑防腐蚀设计规范》GB 50046的有关规定。

条文说明

8.5.1  多晶硅工厂的工艺装置泄漏的三氯氢硅、四氯化硅遇水或潮湿空气后会生成含硅酸、盐酸等具有强腐蚀性的物质,这些腐蚀性物质对厂房、装置框架的内部或外部的腐蚀较为严重,腐蚀程度一般达到中度,因此应采取有效的防腐蚀措施。表8.5.1列举了各装置、厂房的腐蚀性介质及腐蚀性分级供防腐设计参考,表中介质的腐蚀性主要对钢筋混凝土而言。

8.5.2  本条规定了液态或气态腐蚀的防腐蚀设计原则及主要建筑构件的具体防腐处理方法。

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多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014
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